Širina 3W 808nm poluvodičkog laserskog čipa široka je 150μm, duljina šupljine je 1mm, efikasnost fotoelektrične pretvorbe je 60%, a vijek trajanja može doseći više od 10000 sati.
Čip usvaja novi epitaksijalni dizajn strukture i epitaksiju materijala, naprednu tehnologiju dizajna i pripreme prozora bez pumpe, te mokro i suvo nagrizanje u kombinaciji sa samoporavnavajućom procesnom tehnologijom za kontrolu konzistencije širine trake, posebno kako bi se osiguralo visoko gotovih proizvoda u masi proizvodnja Da bi se smanjili troškovi laserskih čipova.
Istovremeno, usvajanje nove tehnologije uvelike poboljšava karakteristike otpornosti na visoke temperature, tako da može kontinuirano raditi na temperaturi okoline od 60 ℃ ili višoj.
Čip se može primijeniti na C-MOUNT, TO56, TO3 i druge vrste pakiranja.